薄膜/涂層殘余應力儀：同樣采用多光束MOS技術，可裝在各種真空沉積設備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），對于薄膜生長過程中的應力變化進行實時原位測量和二維成像分析；

 *薄膜熱應力測量系統（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester）

薄膜/涂層殘余應力儀

技術參數：
kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System，kSA MOS Film Stress Mapping System;
1.XY雙向程序控制掃描平臺掃描范圍：300mm (XY)（可選）；
2.XY雙向掃描速度：up to 20mm/s；

3.XY雙向掃描平臺掃描小步進/分辨率：2 μm ；
4.樣品holder兼容：50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直徑樣品；
5.程序化控制掃描模式：選定區域、多點線性掃描、全樣品掃描；
6.成像功能：樣品表面2D曲率、應力成像，及3D成像分析；
7.測量功能：曲率、曲率半徑、應力強度、應力、Bow和翹曲等；

主要特點：
1.程序化控制掃描模式：單點掃描、選定區域、多點線性掃描、全樣品掃描；
2.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應力2D成像分析；
3.測量功能：薄膜應力、翹曲、曲率半徑等；
4.支持變溫熱應力測量功能，溫度范圍-65C to 1000C；
5.薄膜殘余應力測量；

涂層應力測量系統（kSA MOS Coating Stress tester）采用非接觸MOS激光技術；不但可以對樣品表面應力分布進行統計分析，而且還可以進行樣品表面二維應力、曲率成像分析；并且這種設計始終保證所有陣列的激光光點始終在同一頻率運動或掃描，從而有效的避免了外界振動對測試結果的影響；同時提高了測試的分辨率；適合各種材質和厚度薄膜應力分析；

典型用戶：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學，中國計量科學研究院等、半導體和微電子制造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等；