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目前III-V族化合物襯底費用普遍偏高，許多技術由此受到了其成本的限制。因此，能夠重復使用原始襯底是一種可行的解決方法，但現有的襯底再利用技術存在明顯缺陷。在這篇文章中，研究人員討論了一種通過分子束外延在常用（001）GaAs襯底上沉積水溶性NaCl薄膜的新方法。利用原位電子束和低溫成核層，在連續的NaCl層上生長單晶GaAs模板。模板層可以通過NaCl的溶解而從襯底上快速去除，Lift-off（剝離工藝）后的原始晶片rms表面粗糙度僅增加了0.2nm。
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文獻信息
